HBM 둘러싼 삼성전자 sk하이닉스 대전, 엔비디아 젠슨황 삼성전자 언급

안녕하세요. 최근 젠슨 황 엔비디아 CEO가 삼성전자의 HBM 제품에 대해 언급하였고, 엔비디아와의 협력 가능성을 시사했습니다. 오늘은 HBM과 HBM3E에 대해 삼성전자와 SK하이닉스의 수주전과 이슈에 대해 알아보겠습니다.

 

 

GTC에서 젠슨황 CEO의 삼성전자 언급

 

엔비디아의 젠슨황 CEO가 최근  엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스인 GTC 24에서 전 세계 미디어와의 간담회에서 삼성전자의 고대역폭 메모리인 HBM에 대해 언급했습니다.

 

이번 엔비디아 GTC 간담회는 세계적인 이슈로, GTC에서 공개한 AI GPU B100과 블랙웰에 대한 사전 지식을 알고 가시는 것이 해당 포스팅 내용 이해에 도움이 될 것입니다.

 

 

 

 

 

 

젠슨황 엔비디아 CEO는 현재 삼성의 HBM을 사용하고 있지 않지만, 이를 테스트하고 있으며 큰 기대를 하고 있다고 밝혔습니다. 또한, 그는 삼성전자를 "비범한 기업"으로 언급하였으며, 특히 오토모티브 분야에서 삼성의 역할을 강조했습니다. 그러나 차량용 칩이 삼성 파운드리에서 생산되는지, 혹은 삼성 메모리를 사용하는지에 대해서는 구체적으로 언급하지 않았습니다. 이런 발언에 여러 해석의 여지가 있겠지요.

 

 

 

 

엔비디아의 삼성전자 언급이 의미하는 것

 

이러한 젠슨황의 언급은 여러 의견이 있겠으나 여하튼 삼성의 제품에 대한 기대를 내비친 것이라 볼 수 있습니다. 이는 삼성전자가 업계 최초로 개발한 12단 HBM3E의 양산 계획과 맞물려 삼성의 기술력을 인정받는 중요한 신호로 해석될 수 있겠죠.

 

비록 엔비디아가 아직 삼성전자로부터 HBM을 납품받고 있지 않지만, 황 CEO의 발언은 삼성의 첨단 기술과 파운드리 서비스에 대한 관심과 기대를 반영하고 있습니다. 이는 삼성전자에게 긍정적인 영향을 미칠 수 있으며, 향후 양사 간의 협력 가능성을 열어둘 수 있는 발판이 될 것이라 보여집니다.

 

 

 

 

 

HBM이란 무엇인가

 

 

 

 

 

HBM(고대역폭 메모리)는 여러 개의 D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV)으로 수직 연결하여 데이터 처리 속도를 극적으로 향상시킨 초고성능 메모리 반도체입니다. 이는 고속 병렬 연산에 적합하게 설계되어 대규모 데이터를 지속적으로 빠른 속도로 처리할 수 있게 만들기 때문에 생성형 인공지능(AI) 구동에 필수적인 기술로 여겨집니다.

 

 

 

엔비디아는 HBM을 자사의 AI 칩, 특히 차세대 B100 시리즈에 핵심 부품으로 사용하고 있는데요. SK하이닉스는 현재 4세대 HBM인 HBM3의 대부분을 공급하며 시장에서 선두 주자로 자리잡고 있으며, 최근에는 5세대 HBM인 HBM3E의 양산을 시작했습니다.

 

 

HBM의 개발과 양산은 AI 반도체의 성능과 효율성을 크게 향상시키는 데 중요한 역할을 하며, 이는 엔비디아와 같은 기업들의 시장 지배력을 유지하는 데 기여합니다. 즉, HBM은 AI 기술 발전의 핵심 요소로서, 메모리 반도체 산업과 AI 산업의 발전에 있어 중추적인 역할을 하고 있습니다.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SK하이닉스와 삼성전자의 HBM 수주전

 

 

삼성전자와 SK하이닉스는 최근 GTC 2024에 참가해 자사의 첨단 HBM3E 기술을 전 세계에 선보였습니다. 두 회사는 모두 12단 구조로 이루어진 D램을 통해 24~36GB의 용량을 갖춘 신제품을 공개하며 기술력을 과시했습니다.

 

 

삼성전자는 최대 데이터 전송 속도를 초당 1.25TB로 설정했으며, SK하이닉스도 1.18TB의 대역폭을 제공하여 전 세대 제품 대비 40% 이상 속도 향상을 실현했습니다. 이러한 혁신은 엔비디아의 차세대 B100 칩셋에 적용될 HBM3E의 납품 경쟁을 촉발하고 있으며, 삼성전자, SK하이닉스, 그리고 마이크론은 엔비디아에 더 많은 제품을 공급하기 위한 치열한 경쟁을 벌이고 있습니다.

 

 

업계 관계자에 따르면, GTC 2024는 이들 사이의 HBM3E 납품 경쟁을 본격화하는 계기가 될 것으로 보입니다. 따라서, 이번 행사는 향후 메모리 시장의 주도권을 쥐기 위한 삼성전자와 SK하이닉스 간의 수주전이 더욱 치열해질 전망을 시사합니다.

 

 

 

 

 

 

 

 

HBM3E란

 

 

HBM3E는 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory)의 최신 세대로, 기존 HBM3의 확장 버전입니다. 이 메모리는 여러 개의 D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 사용하여 수직으로 연결함으로써, 데이터 처리 속도를 획기적으로 높인 초고성능 메모리 반도체입니다.

 

 

HBM3E는 초당 최대 1.15TB 이상의 데이터를 처리할 수 있으며, 이는 기존 세대 대비 향상된 속도를 의미합니다. 또한, HBM3E는 발열 제어 및 사용 편의성을 개선하여 AI 및 고성능 컴퓨팅 환경에 최적화된 성능을 제공합니다.

 

 

삼성전자와 SK하이닉스 모두 12단 구조로 24GB 이상의 용량을 갖춘 HBM3E를 개발하여, AI용 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 있습니다.

 

 

 

 

HBM3E의 등장은 AI와 고성능 컴퓨팅 분야의 발전에 새로운 지평을 열 것으로 기대됩니다. 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 혁신과 시장 경쟁은 이러한 진보를 가속화할 것입니다. 이들 기업의 연구 개발 성과와 반도체 기술의 미래 방향에 주목해야 할 것 같습니다.